| 型号 | IPB067N08N3 G |
| 厂商 | Infineon Technologies |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 |
| 代理商 | IPB067N08N3 G |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6.7 毫欧 @ 73A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.5V @ 73µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3840pF @ 40V |
| 功率 - 最大 | 136W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-2 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 其它名称 | IPB067N08N3 GCT |